產(chǎn)品詳情
參數(shù):
Density:64KB 128KB 256KB 512KB 8KB 16KB 32KB 1MB 2MB
Max CLK:5Mhz 15Mhz
Vcc:1.65V~3.6V 1.7V~5.5V
Temp:-40℃~105℃ -40℃~85℃
Cycle:1M 4M 10M
Retention:200Y 100y
ESD:2kv
Package:USON6(1.2*1.2*0.45),SOP8(150mil),TSSOP8SOP8(150mil) USON8(3*2*0.45),USON8(3*2*0.55)
Status:MP NR
特點(diǎn):字節(jié) / 頁(yè)寫(xiě)入時(shí)間小于 5ms,有可鎖定頁(yè)面、額外序列號(hào)、硬件控制鎖定受保護(hù)扇區(qū)、透明 ECC 可糾 1 位錯(cuò)、高可靠性。耐用性達(dá) 400 萬(wàn)次寫(xiě)入周期,數(shù)據(jù)保留 200 年,閂鎖能力為 6kV +/- 200mA(25°C)。
(2)I2C EEPROM
參數(shù):
Density:2KB 4KB 8KB 64KB 128KB 256KB 512KB 8KB 16KB 32KB 1MB 2MB
Max CLK:5Mhz 15Mhz 1Mhz 3.4Mhz
Vcc:1.7V~5.5V 1.65V~3.6V
Temp:-40℃~105℃ -40℃~85℃ -40℃~125℃
Cycle:1M 4M 10M
Retention:200Y 100y
ESD:2kv
Package:USON6(1.2*1.2*0.45),SOP8(150mil),TSSOP8SOP8(150mil) USON8(3*2*0.45),USON8(3*2*0.55)
Status:MP NR
特點(diǎn):施密特觸發(fā)器及噪聲抑制過(guò)濾輸入,具備順序和隨機(jī)讀取特性、頁(yè)面寫(xiě)入模式(允許部分頁(yè)面寫(xiě)入)、全內(nèi)存陣列寫(xiě)保護(hù)、自定時(shí)寫(xiě)入周期(最大 5ms)。
(3)CCM
參數(shù):
Density:2KB 4KB 8KB 16KB 32KB 128KB 256KB 512KB 1MB 2MB
Max CLK:1Mhz 3.4Mhz 5Mhz
Vcc:1.7V~5.5V 1.65V~3.6V
Temp:-40℃~85℃
Cycle:1M
Retention:100Y
ESD:2kv 4kv
Package:USON6(1.2*1.2*0.45),SOP8(150 mil),TSSOP8 SOP8(150 mil) USON8(3*2*0.45),USON8(3*2*0.55)
Status:MP
(4)WLCSP
參數(shù):
Density:64KB 128KB 256KB
Max CLK:1Mhz 3.4Mhz
Vcc:1.7V~5.5V 1.65V~3.6V 1.1V~2.0V
Temp:-40℃~85℃
Cycle:1M 100K
Retention:200Y 100y
ESD:2kv
Package:WLCSP 0.5*0.5 6 Ball WLCSP 0.433*0.5 8Ball WLCSP 1*0.5 8Ball
Status:MP NR
應(yīng)用:?智能卡;?傳感器節(jié)點(diǎn);?工控設(shè)備;?汽車(chē)電子;?消費(fèi)電子?
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